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QPD2195是SiC HEMT上的离散GAN,其运行于1.8 - 2.2 GHz。该器件是单级预匹配功率放大器晶体管。
QPD2195可用于Doherty架构,用于基站功率放大器的最终阶段,用于宏小区高效系统。
QPD2195可在+48 V操作中提供400 W的P3DB。
无铅和符合RoHS。
有关GaN热性能的其他信息,请参阅以下内容应用笔记和视频。
本产品提供了模型的非线性模型。
Qorvo和暗示学者已合作为Qorvo GaN晶体管器件提供具有高精度非线性仿真模型的设计人员。该模型库与最新的电子设计自动化(EDA)仿真工具无缝集成,并为每个型号提供型号信息数据表进行彻底记录。学到更多。
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