Qorvo TGF2819-FS是一种峰值大于200w(平均40w)的SiC-HEMT分立GaN,工作频率从DC到4.0ghz。该设备采用Qorvo成熟的TQGaN25HV工艺制造,采用先进的场板技术,在高漏极偏压工作条件下优化功率和效率。这种优化可以潜在地降低系统成本,即更少的放大器线路和更低的热管理成本。
无铅,符合ROHS标准
评估委员会可根据要求提供。
最小频率(兆赫) | 直流 |
最大频率(兆赫) | 4,000 |
增益(分贝) | > 14 |
Psat公司(dBm) | 51 |
虚拟磁盘(五) | 50 |
静电流(毫安) | 250 |
包装类型 | 镍-360 |
RoHS | 是的 |
无铅 | 是的 |
无卤素 | 是的 |
ITAR限制 | 不 |
ECCN公司 | 耳99 |