TGF2935
DC - 25 GHz, 5 Watt, 28 V GaN RF Transistor
关键Features
- Frequency Range: DC - 25 GHz
- Output Power (P3dB): 4.8 W at 10 GHz
- 线性增益：10 GHz典型的16 dB
- Typical PAE3dB: 60% at 10 GHz
- 典型的NF为10 GHz：1.3 dB
- 工作电压：28V
- CW and Pulse capable
- 0.60 x 0.55 x 0.10模具
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Qorvo TGF2935是SiC HEMT上的5 W（P3DB）离散GaN，其从DC到25 GHz和28 V供电。该设备由Qorvo经过验证的QGan15过程构建。该设备可以支持脉冲，CW和线性操作。
无铅和符合RoHS。
Typical Applications
- Defense and Aerospace
- Broadband Wireless
| 频率最小（MHz） | DC |
| Frequency Max（MHz） | 25,000. |
| 获得（D b） | 16 |
| Psat(dBm) | 36.8 |
| PAE（％） | 60. |
| vd.(V) | 28 |
| 凡好(mA) | 40 |
| 包Type | die |
| 包(mm) | 0.60 x 0.55 x 0.10 |
| RoHS | 是 |
| 无铅 | 是 |
| Halogen Free | 是 |
| ITAR Restricted | No |
| ECCN | EAR99 |