TGF2936

    DC - 25千兆赫,10瓦,28 V的GaN射频晶体管

    主要特点

    • 频率范围:DC - 25 GHz的
    • 输出功率(P3dB):在10 GHz的10瓦
    • 线性增益:16 dB的典型在10GHz
    • 典型PAE3dB:在10 GHz的58%
    • 在10 GHz的典型NF:1.3分贝
    • 工作电压:28V
    • CW和脉冲能
    • 0.98 X 0.55×0.10模

    所述Qorvo TGF2936是对SiC HEMT 10 W(P3dB)离散的GaN其操作从DC到25 GHz和28 V供应。该装置的构造与Qorvo探明QGaN15过程。该器件可支持脉冲式的,CW和线性运算。

    无铅,符合RoHS标准。

    典型应用

      • 国防和航空航天
      • 宽带无线
    频率最小(MHz)的 DC
    最高频率(MHz)的 25000
    获得(D b) 16
    PSAT(DBM) 40
    PAE(%) 58
    VD(V) 28
    IDQ(嘛) 80
    包装类型
    (毫米) 0.98 X 0.55 X 0.10
    RoHS指令
    无铅
    无卤
    ITAR限制 没有
    ECCN 3A001b.3.b

    Modelithics®Qorvo氮化镓库

    一个Modelithics非线性模型可用于本产品。

    Qorvo和Modelithics已合作为设计者提供了高精度的非线性仿真模型Qorvo的GaN晶体管器件。这个模型库与最新的电子设计自动化(EDA)仿真工具无缝集成,并为每个模型的模型信息数据表是彻底的记录。学到更多

    索取免费Modelithics模型

    Modelithics®Qorvo氮化镓图书馆手册