甘!

和疯狂的秋季贸易展季节在全面展开的时候，有一种“干”的态度是有帮助的。氮化镓(GaN)是一种具有高电流、高电压能力的半导体技术，适用于各种类型的耗电射频系统。

有多少让我们数一数：

• GaN-on-silicon或GaN-on-Si,
• 碳化硅上的GaN或SiC上的GaN，
• GaN-on-diamond,
• GaN-on-sapphire,
• 绝缘体上的GaN，
• GaN-on-GaN(不是瞎编的)，
• GaN-on-rye(好吧，这是瞎编的)

还有我最喜欢的:

• 六方氮化硼上的GaN或h-BN上的GaN。

不仅要写氮化镓而不磨损连字符键是不可能的，你甚至不能定义氮化镓而不使用连字符。毕竟，它是一个宽带隙或III-V半导体!

甚至连GaN的应用也用连字符连接:

• 智能电网，
• 混合动力电动汽车，
• 直流-直流转换器,
• 点对点的基础设施,
• 高可靠性网络，
• 电池供电的电器，
• 场效应晶体管…

你可以看到为什么有些公司把GaN视为双赢。

GaN-on-Si与GaN-on-SiC

无论你以何种方式使用GaN，高功率密度的承诺依然存在——尽管有些口味比其他口味更好。GaN-on- si和GaN-on- sic的优点在GaN社区内进行了激烈的辩论，因为竞争派系争论哪一种技术更优越。

具有讽刺意味的是，高温是争论的关键之一。GaN很可能用于需要高输出功率的应用中，因此会产生过量的热量。为了确保最佳性能和寿命，一些GaN器件需要有效的路径来去除有源器件表面的热量。在Qorvo，我们相信碳化硅（SiC）作为热通道具有优异的热性能。正如我们在报告中指出的那样用于Dummies®的GaN射频技术书:

“氮化镓通常是在高温下生长的…在国外的衬底上（射频应用的SiC或电力电子应用的Si）。GaN-on-SiC方法将GaN的高功率密度能力与SiC的优异导热性和低射频损耗结合在一起。这就是为什么GaN-on-SiC是高功率密度射频性能的首选组合。”

GaN-on-SiC设备也能更好地承受陆地、空中和海上的恶劣环境。GaN-on-SiC射频功率密度比基于砷化镓(GaAs)的射频放大器高5到6倍。它已被证实的能力使它成为理想的基础设施,国防和航空航天应用,如雷达,电子战,通讯、导航和类似用途。GaN-on-SiC为客户提供了灵活性，减少了电路板空间和系统成本，同时提高了系统性能。

展望未来，GaN-on-SiC将很好地支持下一代无线网络的推出，但GaN-on-Si并非不可能。选择取决于所需的功率密度和成本。虽然这两个阵营都没有让步，但批量生产已证实的GaN-on-SiC方法通常允许在较小的封装中实现高功率密度。随着我们向5G发展，GaN-on-SiC是实现这一目标的最快方式。

GaN-on-Si GaN-on-SiC…

“我们就不能一起干吗？”你问？

我们说:“GaN on!”希望最好的GaN获胜。

这篇文章第一次出现在布伦特的沉思在微波杂志.