FET-Jet计算器2.0 -速度和简单的力量

    无论你是首次使用碳化硅或一个经验丰富的设计师寻求最好的SiC设备为您的设计,选择最优设备正确的电源拓扑应该很容易。这就是为什么我们建造FET-Jet计算器™。版本2.0现在支持一个更广泛的力量应用程序和创3和创4 SiC的完整组合装置,包括新的750 v和1200 v创4 SiC场效应晶体管。它有助于电力设计师评估Qorvo设备在各种电路拓扑和专注于最有前途的解决方案作出设计决策快速和可靠的。

    这一切都发生在3个简单的步骤……


    选择应用程序
    函数


    选择拓扑


    输入操作规范
    &选择设备

    • 很容易评估的全部范围Qorvo场效应晶体管和二极管
      • AC / DC, DC / DC (non-isolated),直流/直流(隔离)
      • 支持26个独特的拓扑
      • 支持CCM和BCM传导模式
    • 提供了促进基本设计决策结果包括:
      • 即时损失和效率数据柱状图结果
      • 最优门驱动和制动装置的建议
      • 结温
      • 当前的压力水平
      • 并行设备的数量
      • 设计结果可作为pdf下载
    • 支持所有创3和创4 SiC设备
    • 不需要注册
    交流/直流 直流/直流 DC / DCiso
    PFC 巴克 HB ISO
    TPPFC 提高 FB ISO
    H桥 BUCK-BOOST CF FB ISO
    VSI 2级 BUCK3L 2开关生产
    维也纳 BUCK3LSYNC PSFB
    3级TNPC BOOST3L LLC HB
    3级人大 BOOST3LSYNC LLC FB
    ANPC BOOST3LFC 轻拍
    HB巴克
    HB提高

    找到合适的1200 v创4 SiC场效应晶体管FET-Jet计算器(36)

    FET-Jet计算器新特性概述(4:55)

    FET-Jet计算器是如何工作的呢?(46)

    ANPC PWM调制策略和选择(5:03)

    h桥调制方案(7:31)

    网格状的提高转换器(13)

    两级电压源逆变器的选择(36)

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    如何准确FET-Jet计算器吗?

    有精度之间的权衡,易用性,和速度。FET-Jet计算器尽可能平衡这些通过最小化误差的来源,使简化,允许快速结果精确度损失的典型应用。准确性是相当足够的目的FET-Jet计算器,这是一个功率器件选择和拓扑比较工具在设计周期的早期使用。

    什么值Rthcs应该使用(隔离器垫)?

    许多应用程序要求的导电背后之间的电气隔离包和散热片。值为0.6°C / W为现代相变光电隔离器是一个保守的价值。如果用non-phase-change隔离器垫,那么1.8°C / W的值是典型的,但是请参考数据隔离器材料制造商。金属表面安装在绝缘衬底(IMS),请参阅制造商的数据。

    AC / DC转换器使用sine-triangle脉宽调制(SPWM)。如果我用空间矢量调制(SVM) ?

    支持向量机有很多变化,但通常在每个零状态所花费的时间是平衡的开关转换和损失减小到最低限度。在这种情况下,导电和变频调速开关损失与支持向量机几乎是相同的,,实际是简单地使用SPWM变频调速和SVM的损失计算。过调制(脉冲跳过)不支持修改1 FET-Jet计算器。变频调速和SVM与调制指数收益率在数学上有意义的结果。然而,只有身体空间向量可以实现1.15 x高交流电压与给定的直流环节电压与变频调速。此外,支持向量机几乎只适用于三相系统。变频调速,每个阶段都是相互独立的,因此支持任意数量的阶段。

    AC / DC转换器相电压作为输入参数。为什么不使用相间电压?

    Sine-triangle脉宽调制(SPWM)是用于计算功率损耗在AC / DC拓扑。尽管大多数系统是三相的,每个阶段都是相互独立的变频调速,并输入相电压,然后计算相间电压允许支持任意数量的阶段。损失计算与SPWM和alternating-nulls空间矢量调制(SVM)几乎是相同的,但与变频调速,每个阶段的转换与SVM是相互依赖的其他阶段。出于这个原因,绝大多数使用SVM是三相系统。

    额定功率是一个输入参数为每个拓扑。这是输入或输出功率吗?

    FET-Jet计算器输入和输出功率之间毫无区别。大多数系统功率半导体元件的效率足够高的小功率损耗的计算误差从忽略输入与输出功率可以忽略不计。额定功率,因此可以认为是输出功率。

    断开损失如何计算拓扑的零电压刺激(ZVS) ?

    当一个场效应晶体管关闭并从接近于零电压增加到断开的电压稳定,能量存储在输出电容。与零漏源极电压电路接通(ZVS),这个输出电容能量回收到负载和/或输入电容。这是不同于硬开关,输出电容能量变得失去(热)场效应晶体管的开关。在断开,一些场效应晶体管的漏极电流流经通道和产生热量,而当前的剩余费用输出电容。是不可能衡量这些电流分别在断开;只断开能源使用的测量和计算的数据表。然而可以测量输出电容,因此计算它的能量存储后让我倒尽胃口。再次,因为输出电容能量回收,在电路断开能源ZVS刺激是计算数据表之间的差异(硬切换)断开能量E减去相对应的输出电容能量转换电压。有时结果断开开关损耗很低,结果显示为零。

    为什么电感纹波电流的输入参数拓扑?

    电感纹波电流作为输入参数用来调整开关损耗估计。它有微不足道的影响传导损失相应的拓扑结构。

    瞬态分析支持,例如电动机启动?

    不支持自动瞬态分析在这个修订FET-Jet计算器。

    是什么区别“腿”和“平行场效应晶体管或二极管”?

    一些拓扑可以选择多个腿,这意味着所有的场效应晶体管,二极管和电感是复制,所以转换器电路是“软的”。额定功率是力量的总和在所有腿(不是每条腿)。多个腿通常会交叉开关,尽管这对损失的计算没有影响。平行场效应晶体管或二极管意味着直接平行场效应晶体管或二极管的数量在每个电路的腿。功率损耗计算每场效应晶体管和二极管,然后总结根据场效应晶体管和二极管的总数腿产量总转换器的损失。考虑提高变换器作为一个例子有两个平行的场效应晶体管和二极管/腿,还有三条腿。每条腿过程中三分之一额定功率,将有3条腿* 2场效应晶体管/腿= 6场效应晶体管,腿和3 * 1二极管/腿= 3二极管总;全损= 6场效应晶体管*损失/场效应晶体管+ 3 *损失/二极管。

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