宣布业内6 mΩ750 v创4 SiC场效应晶体管

2021年9月13日

新的750 v创4 SiC场效应晶体管的范围从6 mΩ60 mΩ,提供业内数据价值,有13个不同的RDS(上)和包的选择更多的设计灵活性。访问www.unitedsic.com/gen4开始你的下一个高性能电源设计。