收费:1200 v创4 SiC场效应晶体管

2022年5月9日

新1200 v创4 SiC场效应晶体管从23 mΩ70 mΩ并提供业内数据的价值,使其适合800 v总线架构。观看视频,了解这个新系列设备和访问www.unitedsic.com/gen4开始你的下一个高性能电源设计。

探索创4 1200 v SiC场效应晶体管:https://bit.ly/3nkt7zC
使用FET-Jet计算器来找到你的理想的设备:https://bit.ly/3r6FeBo