Qorvo MH205A-G是一个被动的砷化镓MESFET混合器提供了高动态范围的性能在一个低成本无铅/绿色/通过无铅认证SOIC-8包。Qorvo MH205A-G使用专利技术实现+ 35 dBm输入IP3的LO开车水平+ 17 dBm和可用于转换了down-converting下部LO应用程序。这一个单片集成电路不需要任何外部平衡变压器或偏见的元素。
典型应用包括向上/向下转换频率,调制和解调接收机和发射机用于2.5 g和3 g GSM / CDMA / WCDMA手机频段移动基础设施。
射频敏(GHz) | 0.8 |
射频马克斯(GHz) | 0.96 |
如果最小值(GHz) | 0.07 |
如果马克斯(GHz) | 0.12 |
损失最小(GHz) | 0.7 |
罗麦克斯(GHz) | 0.89 |
转换增益(dB) | 7 |
罗开(dBm) | 17 |
OP1dB(dBm) | 11 |
OIP3(dBm) | 28 |
NF(dB) | 7.5 |
包类型 | SOIC-8 |
RoHS | 是的 |
无铅 | 是的 |
无卤素 | 是的 |
ITAR的限制 | 没有 |