QPD2160D

    DC - 20 GHz, 1600嗯离散砷化镓pHEMT死去

    关键特性

    • 频率范围:DC - 20 GHz
    • 典型的输出功率P1dB: 32.5 dBm
    • 典型的增益在12 GHz: 10.4 dB
    • 典型的PAE 12 GHz: 63%
    • 典型的NF 12 GHz: 1 dB
    • 没有通过
    • 嗯砷化镓pHEMT技术:0.25
    • 芯片尺寸:0.41 x 0.54 x 0.10毫米

    1600 -微米pHEMT Qorvo QPD2160D是一个离散的运营从直流到20 GHz。QPD2160D设计使用Qorvo证明标准0.25 um pHEMT生产过程。这个过程特性先进技术优化微波功率和效率在高流失偏见操作条件。QPD2160D通常提供32.5 dBm的输出功率与增益为10.4 dB, 63% power-added P1dB 1 dB压缩效率。这种性能使QPD2160D适合高效的应用程序。保护外套与氮化硅层提供了一个环境鲁棒性和划痕保护水平。

    无铅和通过无铅认证。

    典型的应用

      • 通信
      • 雷达
      • 点对点无线电
      • 卫星通信
    频率最小(MHz) 直流
    频率最大(MHz) 20000年
    获得(dB) 10.4
    OP1dB(dBm) 32.5
    Psat(dBm) 32.5
    NF(dB) 1
    PAE(%) 63年
    Vd(V) 8
    容器(马) 258年
    包类型
    (毫米) 0.41 x 0.54 x 0.10
    RoHS 是的
    无铅 是的
    无卤素 是的
    ITAR的限制 没有
    ECCN EAR99