UJ4C075044K3S

    750 V, 44莫姆SiC场效应晶体管

    关键特性

    • 导通电阻(RDS()): 44莫姆(typ)
    • 最高工作温度:175°C
    • 优秀的反向恢复:Qrr = 67数控
    • 低体二极管VFSD: 1.2 V
    • 门费用低:路上= 37.8数控
    • 阈值电压VG (th): 4.8 V (typ)允许0 - 15 V驱动

    Qorvo UJ4C075044K3S 750 V, 44莫姆创4 SiC场效应晶体管。它是基于一个独特的共源共栅电路配置,一个常开SiC JFET与Si co-packaged MOSFET关SiC场效应晶体管器件。设备的标准栅极驱动特性允许使用现成的门司机因此要求最小的设计当替换Si igbt, Si superjunction设备或碳化硅mosfet。- 247 - 3 - l中可用包,这个设备展览超低闸极电荷和特殊的反向恢复特性,使它适合开关栅极驱动电感负载和任何应用程序要求标准。

    典型的应用

      • 电动汽车充电
      • 光伏逆变器
      • 开关电源
      • 功率因数校正模块
      • 马达驱动器
      • 感应加热
    VDS马克斯(V) 750年
    RDS(上)Typ @ 25 c(莫姆) 44
    ID马克斯(一) 37.4
    一代 创4
    Tj马克斯(°C) 175年
    汽车的资格 是的
    包类型 - 247 - 3 - l
    RoHS 是的
    无铅 是的
    无卤素 是的
    ITAR的限制 没有
    ECCN EAR99