QPD1008L.
DC.- 3.2 GHz, 125 Watt, 50 Volt GaN RF Power Transistor
主要特征
- Frequency range: DC - 3.2GHz
- 输出功率（P3DB）：162 W为2 GHz
- 线性增益：> 17 dB典型为2 GHz
- 典型的PAE3DB：> 70％在2 GHz
- Operating voltage: 50V
- Low thermal resistance package
Qorvo的QPD1008L是一个125 W（P3DB）宽带无与伦比的SiC HEMT上无与伦比的离散GaN，由DC到3.2 GHz和50V电源轨运行。该器件位于一个行业标准空气腔包中，理想地适用于军事和民用雷达，陆地移动和军用无线电通信，航空电子学和测试仪表。该设备可以支持脉冲，CW和线性操作。
无铅和符合RoHS
Evaluation boards are available upon request.
典型应用
- 航道
- 平民雷达
- Military Radar
- Jammers
- Wideband or Narrowband Amplifiers
- 专业和军用无线电通信
- 测试仪表
| 频率最小(MHz) | DC. |
| 频率最大(MHz) | 3.,200 |
| 遗传算法in(dB) | > 17. |
| Psat.（DBM） | 52 |
| PAE.(%) | 70 |
| Vd（v） | 50 |
| Idq（嘛） | 260 |
| 包装类型 | NI-360 |
| rohs. | Yes |
| Lead Free | Yes |
| 卤素免费 | Yes |
| ITAR受到限制 | 没有 |
| ECCN. | EAR99 |
Modelithics® Qorvo GaN Library
A Modelithics non-linear model is available for this product.
Qorvo和Modelithicshave partnered to provide designers with high-accuracy nonlinear simulation models for Qorvo GaN transistor devices. This model library integrates seamlessly with the latest electronic design automation (EDA) simulation tools, and is thoroughly documented with a model information data sheet for each model.Learn more。