Qorvo UF4SC120030K4S是1200 V, 30莫姆RDS(上)创4 SiC场效应晶体管。它是基于一个独特的共源共栅电路配置,一个常开SiC JFET与Si co-packaged MOSFET关SiC场效应晶体管器件。设备的标准栅极驱动特性允许使用现成的门司机因此要求最小的设计当替换Si igbt, Si superjunction设备或碳化硅mosfet。- 247 - 4 - l中可用包,这个设备展览超低闸极电荷和特殊的反向恢复特性,使它适合开关栅极驱动电感负载和任何应用程序要求标准。
AEC-Q101资格的过程。有关更多信息,请联系销售。
典型的应用
- 电动汽车充电
- 光伏逆变器
- 开关电源
- 功率因数校正模块
- 马达驱动器
- 感应加热
| VDS马克斯(V) | 1200年 |
| RDS(上)Typ @ 25 c(莫姆) | 30. |
| ID马克斯(一) | 53 |
| 一代 | 创4 |
| Tj马克斯(°C) | 175年 |
| 汽车的资格 | 没有 |
| 包类型 | - 247 - 4 - l |
| RoHS | 是的 |
| 无铅 | 是的 |
| 无卤素 | 是的 |
| ITAR的限制 | 没有 |
| ECCN | EAR99 |