SiC场效应晶体管设计技巧
电力设计师非常重要创新,需要构建最好的终端产品技术信息。支持这个过程,Qorvo提供技术和设备应用程序内容帮助教育和支持设计师。通过以下技术准则、电力设计师现在可以利用的好处SiC场效应晶体管并提供最好的最终产品的性能。当你准备开始,FET-Jet计算器可以帮你瞄准的完美设备设计在三个简单的步骤。
RC缓冲器的指导方针
一个RC缓冲电路小R(G)提供了更好的EMI抑制或门电阻器,更高的效率相比,使用高R(G)价值。没有额外的门延迟时间使用缓冲器电路时,和一个小R(G)将更好地控制V断开(DS)高峰峰值和振铃时间,而高R(G)潮湿的峰值上升,但会导致更长的延迟时间。此外,使用缓冲电路时总开关损耗小于使用高R(G),同时大大降低E(关闭)从mid-to-full增加负载范围只有一个小E(上)。效率将因此提高更高的负载电流。像其他高性能电源开关、适当的PCB布局设计以减少电路寄生强烈建议由于dv / dt和di / dt率高。更多的SiC场效应晶体管的设计信息,包括缓冲电路将如何改善系统整体性能,请访问下面的链接。
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