应用笔记

新的和有经验的用户碳化硅功率产品,我们提供以下应用笔记和其他技术文件,协助你的设计工作。此外,一定要查看特定于产品的文档(包括数据表),可以发现在文件下的单个产品页面选项卡。

应用笔记

• 1.7 kv JFET缓解高压电力电源设计(UnitedSiC AN0010)
• 3 l-anpc vs l-npc逆变器(UnitedSiC AN0023)
• 共源共栅配置简化了应用SiC jfet的挑战(UnitedSiC AN0004)
• 共源共栅促进简单的启动(UnitedSiC AN0009)
• 使99.3%的效率在3.6千瓦图腾柱PFC使用新的750 v创4 SiC场效应晶体管(UnitedSiC AN0026)
• ESD的评级UnitedSiC场效应晶体管和jfet (UnitedSiC AN0027)
• 门驱动和保护三级逆变器(UnitedSiC AN0020)
• 如何减缓dV / dt在切换(UnitedSiC AN0024)
• 提高车载充电器的性能使用最新的SiC场效应晶体管技术(UnitedSiC AN0031)
• 概述美国碳化硅常开jfet (UnitedSiC AN0003)
• 碳化硅在太阳能逆变器拓扑(UnitedSiC AN0017)
• 开关的特点UnitedSiC创3 SiC场效应晶体管在升高的温度下(UnitedSiC AN0022)
• 快速切换SiC场效应晶体管缓冲器(UnitedSiC AN0018)
• 断开的特点SiC JBS二极管(UnitedSiC AN0011)
• UnitedSiC JFET在主动模式应用程序(UnitedSiC AN0016)
• 使用在LTSPICE UnitedSiC香料模型(UnitedSiC AN0005)

技术产品概述

• 1200 v创4 SiC场效应晶体管
• 750 v创4 SiC场效应晶体管
• 750 v创4 SiC场效应晶体管收费方案

用户指南

• 焊接和返工的UnitedSiC阻设备(UnitedSiC AN0015)
• 通孔铅弯曲(UnitedSiC AN0021)
• UnitedSiC SiC场效应晶体管用户指南
• UnitedSiC表面安装技术设备(UnitedSiC AN0030)

回到原文如此权力页面