是的。硬开关,接通dv / dt斜率可以有效地控制门阻力。断开需要更高的门阻力减慢。但是我们建议使用一个小RC缓冲电路在设备漏源极实现高效率、低EMI在同一时间。有关详细信息,请参阅我们的网络研讨会关于这个主题。
Qorvo一直专注于基于SiC JFET的共源共栅由于优良性能的共源共栅从方便门驱动装置,好身体行为二极管短路处理。性价比的关键好处来自于低后的碳化硅垂直JFET SiC相比平面和沟mosfet。这是因为场效电晶体通道地区设备后变成一个大贡献者。我们看到,这种差异将继续随着JFET和MOSFET技术的进步,在1200 V和650 V时更是如此。2019年释放堆共源共栅芯片,装配Qorvo共源共栅就相当于SiC mosfet在复杂性。这些改进,我们看到共源共栅作为电力电子的长期解决方案需要宽的带隙的好处(银行)开关。
Qorvo场效应晶体管使用垂直SiC JFET比横向GaN场效应晶体管与后两者要低得多,即使在650 V。它还可以扩展到更高电压等级。共源共栅设备也使用专门定制的LV MOSFET场效应晶体管简化操作,并提供门驱动兼容所有现有的碳化硅金属氧化物半导体和Si IGBT / MOS开关。Qorvo SiC场效应晶体管的主要结构性原因与cd卓越源于JFET结构= 0,这消除了分压器问题在影响GaN共源共栅的快速交换,和以前的SiC共源共栅的尝试。
SiC MOSFET的结构很熟悉大部分电源和逆变器设计师,以及设备制造商。SiC JFET截然不同过程,建立共源共栅产品需要更多的工程工作,包括特殊LV Si mosfet和先进的包装。Qorvo是为数不多的几个制造商提供所有所需的包装,如果和SiC专业知识在一个团队来完成这项工作。最后,SiC mosfet与栅极电阻容易控制,而碳化硅共源共栅控制范围有限,要求Qorvo方法的应用程序定制设备。这些设备提供最佳的性能。
Qorvo共源共栅/场效应晶体管是常用的并行增加功率输出。场效应晶体管的性能由SiC JFET为主。控制开关的速度和提供了一个设备,Vth不会因温度的增加而减少,强烈的Rdson正温度系数。这些特性允许设备平行非常有效,并de-sensitize低压MOSFET Vth等的变化。
lvmo避免电压压力的关键是使用JFET设备结构与cd = 0,避免电容分压器的行为。此外,lvmo设计是一个内置的夹PN结二极管沟MOSFET的每个单元设备可以容忍大无限期重复雪崩事件。这是证明通过雪崩模式老化,以及暴露在1 m周期雪崩事件没有参数的变化。
SIC共源共栅场效应晶体管,开机速度可以增加使用更高的vg(上),或者降低Rgon。设备开机可以减缓Rgon更高,低vg(上)。Rgoff断开很难调整,尽管高Rgoff实际上减缓设备。最好使用一个小的RC缓冲电路,在直流总线,或整个设备,以减少过冲和振铃降低开关损耗低得多。缓冲器指南推荐不同的SiC场效应晶体管中可以找到两个文档:
东亚峰会的SiC设备能力的确取决于模具尺寸。然而,在实际应用中,更重要的是设备的处理能力高的峰值电流低能量的雪崩,它可以发生在照明罢工和其他交流行上过分强调事件。在这个领域,从Qorvo SiC共源共栅场效应晶体管是优秀的,因为JFET的机制处理的雪崩进入活动模式。很高的雪崩电流密度可以安全地处理在重复的模式中,没有任何设备参数和参数的改变比与传统SiC mosfet的栅氧化层可以impacted. /
最大工作频率取决于类型的硬或软切换使用。由于高Eon损失所有的开关设备,硬开关频率保持在低于100 - 200千赫。软切换电路,650 V SiC共源共栅场效应晶体管在使用500千赫。还可以使用1200 V场效应晶体管在200 - 500 kHz,尽管大多数高效电路使用频率较低。
SiC MOSFET通道流动相当低,并且其温度依赖性导致减少通道电阻与温度27度至125度C,这与温度补偿漂移层阻力的增加是常见的所有理想的批量传导。SiC JFET结构与10-20X散装通道高流动性,并导致较低的石油。这种流动性增加与温度更符合理想的大量流动性。这使得Rds的温度更大的整体提高SiC共源共栅场效应晶体管。这使得设备更容易并行,并且更容易实现健壮的短路处理能力。
这是因为Qorvo SiC场效应晶体管,大多数Qrr来自电容电荷SiC JFET输出电容。因为它是一个电容,它不随温度增加。一个很小的一部分Qrr来自LV硅MOSFET体二极管,因而增加了与温度。所以只有10%的增长,总体效果很小。
这是因为Qorvo SiC场效应晶体管Cgd很小,所以它会关掉非常快,这也给了很低的断开的损失。所以使用约20欧姆Rg,,场效应晶体管断开可以减缓dv / dt约80 V / ns,仍然是非常快,并给出很低的断开的损失。基本上断开损失是相同或比传统的SiC场效电晶体可以通过使用20欧姆Rg,。
都是纯镀锡。
Qorvo快速SiC场效应晶体管系列(UF3C / UF3SC)通常需要至少一个总线缓冲器,在可怜的布局的情况下或使用3 l的包时,他们可能需要一个RC缓冲电路设备。这用户指南显示适当的栅极电阻和缓冲器我们建议。
是的,我们支持LTSPICE。从我们的网站,您可以下载LTSPICE模型和一个应用注释指示和建议使用的模型。
UJ3C场效应晶体管系列是我们的第三代SiC场效应晶体管更通用的组件。这些零件都是很好的软切换应用硬刺激不需要损失最小化。
UF3C的场效应晶体管设计用于刚性开关,快速刺激应用程序。本系列提供了降低Qrr和低Eon相比UJ3C系列。这些组件非常快,往往一个小装置阻尼器建议用干净的波形来实现非常低的损失。更多的信息来支持更高性能的UF3C-based设计是可用的在这里。