下面的白皮书可能有利于那些熟悉碳化硅电力设备和技术。
- 与SiC双栅场效应晶体管的电路保护配置
SiC jfet长期以来被认为是理想的固态断路器设备和固态功率控制器应用,考虑到他们的能力开态电阻高电压等级较低,在不影响限制电流的能力。在本白皮书中,我们检查关SiC在双栅场效应晶体管的使用配置简化高电流直流和交流断路器的发展。
- 从连续时间域控制器代码
控制理论是一种电子理论的许多方面所需电力电子设计。数字控制的日益普及,重要的是要有一个好的理解的数字控制的基础知识。许多教科书写系统建模和控制理论,但很难找到明确的解释如何利用现有的连续时间模型,并将其转化为可以被编程到微控制器。这是这个应用程序的主题。作为一个例子,一个连续时间的传递函数实现在C代码,一路上基本数学理论强调了。
- 新的半导体技术正在推动更高的能量转化效率
能量转化是一种常见的元素在几乎所有的电子设备,实现在各种拓扑。这个白皮书提供了上下文后面新的半导体技术的发展与创新部分给出的示例将提供正确的混合特性对于当前和新兴力量转换的应用程序。
- SiC场效应晶体管的起源及其演变对完美的开关
宽的带隙半导体高频开关是促进更好的能量转化效率。一个例子,碳化硅开关可以实现为SiC在共源共栅MOSFET或配置SiC场效应晶体管。本白皮书痕迹的起源和演化SiC场效应晶体管的最新一代和比较其性能与替代技术。
- 实际问题时比较碳化硅和氮化镓功率应用程序
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体技术很有前景,伟大的对未来的表现。碳化硅器件在共源共栅配置使现有系统很容易升级到现在得到宽的带隙设备所带来的好处。
- SiC场效应晶体管在电动汽车的应用程序
宽禁带半导体发现应用程序在所有类型的权力转换包括电动汽车。本白皮书解释设计的最新一代SiC场效应晶体管是如何适合新的逆变器设计与损失低于igbt与短路证明了鲁棒性,即使在高温和压力重复。
- 碳化硅产品和技术的地位
的好处碳化硅(SiC)设备用于电力电子由高细分领域的基本物质利益驱动和热导率,在25年的持续发展在材料和设备带来了收养一个引爆点。