|
DC - 20ghz, 180um离散GaAs pHEMT模
|
直流
|
20000年
|
|
14
|
22
|
22
|
1
|
55
|
|
8
|
29
|
|
死
|
|
|
|
DC - 20ghz 250um离散GaAs pHEMT
|
直流
|
20000年
|
|
14
|
24
|
25
|
0.9
|
58
|
|
8
|
41
|
|
死
|
|
|
|
DC - 20ghz 400um离散GaAs pHEMT
|
直流
|
20000年
|
|
13
|
26
|
26
|
1.1
|
55
|
|
8
|
65
|
|
死
|
|
|
|
DC - 20 GHz的600微米的离散而GaAs PHEMT
|
直流
|
20000年
|
|
12
|
28
|
28
|
1.4
|
55
|
|
8
|
97
|
|
死
|
|
|
|
DC - 20ghz 800 um离散GaAs pHEMT
|
直流
|
20000年
|
|
11.5
|
29.5
|
29.5
|
|
56
|
|
8
|
129
|
|
死
|
|
|
|
DC - 20 GHz的1200 UM离散而GaAs PHEMT
|
直流
|
20000年
|
|
11
|
31
|
|
|
57
|
|
8
|
194
|
|
死
|
|
|
|
DC - 20ghz 1600 um离散GaAs pHEMT
|
直流
|
20000年
|
|
10.4
|
32.5
|
|
|
63
|
|
8
|
258
|
|
死
|
|
|
|
700 - 915mhz高IP3双pHEMT低噪声放大器
|
700
|
915
|
|
20.5
|
20.7
|
|
0.32
|
|
|
4
|
70
|
|
QFN，16针
|
4.0×4.0×0.85
|
|
|
1700 - 2000 MHz高IP3双pHEMT低噪声放大器
|
1700年
|
2000
|
|
17.9
|
21.6
|
|
0.36
|
|
|
4.5
|
50
|
|
|
|
|
2.5 - 5.0千兆赫，8瓦特，48伏的GaN射频晶体管
|
2500年
|
5000
|
|
18.8
|
|
39.4
|
|
|
72.9
|
48
|
12
|
|
DFN
|
4.5×4.0
|
|
|
DC - 5ghz, 20瓦，48伏，GaN射频晶体管
|
直流
|
5000
|
|
19
|
|
43
|
|
|
73
|
48
|
32.5
|
|
DFN
|
4.5×4.0
|
|
|
2.5 - 2.7千兆赫，40瓦特/ 80瓦特，48伏的不对称多尔蒂
|
2500年
|
2700年
|
|
15
|
|
50.5
|
|
|
55
|
48
|
65
|
|
DFN
|
7.0 x 6.5
|
|
|
3.3 - 3.6千兆赫，30瓦特/ 60瓦特，48伏的不对称多尔蒂
|
3300年
|
3600年
|
|
13.3
|
|
49.5
|
|
|
48
|
48
|
65
|
|
DFN
|
7.0 x 6.5
|
|
|
DC - 6ghz, 35瓦，48伏特GaN射频功率晶体管
|
直流
|
6000
|
|
18.8
|
|
45.4
|
|
|
77.8
|
48
|
30.
|
|
QFN
|
4.0 x 3.0
|
|
|
直流- 4ghz, 45瓦，48伏GaN射频功率晶体管
|
直流
|
4000年
|
|
22.3
|
|
46.9
|
|
71.5
|
|
48
|
85
|
|
QFN
|
4.0 x 3.0
|
|
|
DC - 3.6 GHz, 75瓦，48伏GaN射频功率晶体管
|
直流
|
3600年
|
|
22.5
|
|
48.7
|
|
80
|
|
48
|
130
|
|
|
|
|
|
DC - 3.6 GHz, 90瓦，48伏特GaN射频功率晶体管
|
直流
|
3600年
|
|
25
|
|
49.5
|
|
73
|
|
48
|
150
|
|
|
|
|
|
1.8 - 2.7 GHz, 2 x 15瓦，48伏双GaN射频晶体管
|
1800
|
2700年
|
|
18.8
|
|
42.2
|
|
|
71.9
|
48
|
35
|
|
DFN
|
7.0 x 6.5
|
|
|
3.4 - 3.8千兆赫，2×20瓦，48伏双氮化镓RF晶体管
|
3400
|
3800年
|
|
20.
|
|
43.5
|
|
|
75.9
|
48
|
32.5
|
|
DFN
|
7.0 x 6.5
|
|
|
4.4 - 5.0千兆赫，2×20瓦，48伏双氮化镓RF晶体管
|
4400年
|
5000
|
|
15.4
|
|
43.4
|
|
|
75
|
48
|
32.5
|
|
DFN
|
7.0 x 6.5
|
|
|
0.03 - 1.215千兆赫，15瓦，28 V的GaN RF输入 - 匹配的晶体管
|
30.
|
1,215
|
|
19
|
|
43.8
|
|
78.2
|
|
28
|
50
|
|
DFN
|
5×6
|
|
|
1.2 - 1.4 GHz, 500瓦，50伏特，GaN射频IMFET
|
1200
|
1400
|
|
19.9
|
|
57.3
|
|
66.7
|
|
50
|
750
|
|
rf - 565
|
|
|
|
30 - 1200兆赫，25瓦，50伏的GaN RF输入 - 匹配的晶体管
|
30.
|
1200
|
|
20.8
|
|
|
|
73.2
|
|
50
|
50
|
|
DFN
|
6.0 x 5.0
|
|
|
450瓦，50伏，1.2 - 1.4 GHz的氮化镓IMFET
|
1200
|
1400
|
|
17.5
|
|
54.9
|
|
|
|
45
|
750
|
|
Ni50-CW
|
19 x 17.68 x 4.49
|
|
|
DC - 3.2 GHz, 125瓦，50伏GaN射频功率晶体管
|
直流
|
3200年
|
|
> 17
|
|
52
|
|
70
|
|
50
|
260
|
|
ni - 360
|
|
|
|
DC - 3.2 GHz, 125瓦，50伏GaN射频功率晶体管
|
直流
|
3200年
|
|
> 17
|
|
52
|
|
70
|
|
50
|
260
|
|
ni - 360
|
|
|
|
DC - 4ghz, 15瓦，50伏GaN射频晶体管
|
直流
|
4000年
|
|
24
|
|
42.3
|
|
72
|
|
50
|
26
|
|
QFN
|
3×3的
|
|
|
DC - 4千兆赫，10瓦，50伏的GaN射频晶体管
|
直流
|
4000年
|
|
24.7
|
|
40.4
|
|
70
|
|
50
|
18
|
|
QFN
|
3×3的
|
|
|
7瓦，50伏，0.03 - 1.2 GHz, GaN射频输入匹配晶体管
|
30.
|
1200
|
|
21
|
|
39.4
|
|
60
|
|
50
|
20.
|
|
DFN / SMT
|
6×5
|
|
|
直流- 2.7 GHz, 150瓦，65 V GaN射频晶体管
|
直流
|
2700年
|
|
21.8
|
|
|
|
64.8
|
|
65
|
240
|
|
DFN
|
7.2 x 6.6
|
|
|
15瓦特，50伏，0.03 - 1.2 GHz的，氮化镓RF输入 - 匹配的晶体管
|
30.
|
1200
|
|
18.4
|
|
41
|
|
69.5
|
|
50
|
25
|
|
DFN
|
6.0 x 5.0
|
|
|
DC - 3.7 GHz, 65瓦，50 V GaN射频功率晶体管
|
直流
|
3700年
|
|
20.
|
|
48.5
|
|
74
|
|
50
|
65
|
|
ni - 360
|
|
|
|
DC - 3.7 GHz, 65瓦，50 V GaN射频功率晶体管
|
直流
|
3700年
|
|
20.
|
|
48.5
|
|
74
|
|
50
|
65
|
|
ni - 360
|
|
|
|
500瓦，50伏，DC - 1.7 GHz, GaN射频晶体管
|
直流
|
1700年
|
|
23.9
|
|
58.3
|
|
77.4
|
|
50
|
1000年
|
|
ni - 780
|
|
|
|
3.1 - 3.5千兆赫，450瓦，50伏的GaN RF IMFET
|
3100年
|
3500年
|
|
16.5
|
|
56.6
|
|
60
|
|
50
|
750
|
|
rf - 565
|
17.40 x 24.00 x 4.31
|
|
|
500瓦，50伏，2.7 - 3.1 GHz, GaN射频IMFET
|
2700年
|
3100年
|
|
17.7
|
|
57.6
|
|
67.9
|
|
50
|
750
|
|
rf - 565
|
17.4 x 24 x 4.3
|
|
|
500瓦，50伏，2.9 - 3.3 GHz, GaN射频IMFET
|
2900年
|
3300年
|
|
15.5
|
|
57.7
|
|
67
|
|
50
|
750
|
|
rf - 565
|
|
|
|
30瓦，50伏，2.7 - 3.5 GHz, GaN射频输入匹配晶体管
|
2700年
|
3500年
|
|
18.4
|
|
45
|
|
64
|
|
50
|
52.5
|
|
DFN
|
6×5
|
|
|
DC - 12千兆赫，10瓦，32 V的GaN射频晶体管
|
直流
|
12000年
|
|
24
|
|
|
|
68.8
|
|
32
|
50
|
|
QFN
|
3.0 x 3.0
|
|
|
1800瓦，65伏，。96 - 1.215 GHz, GaN射频输入匹配晶体管
|
960
|
1,215
|
|
22.5
|
|
62.7
|
|
77.2
|
|
65
|
1500年
|
|
NI-1230（无耳）
|
|
|
|
1800瓦，65伏，。96 - 1.215 GHz, GaN射频输入匹配晶体管
|
960
|
1,215
|
|
22.5
|
|
62.7
|
|
77.2
|
|
65
|
1500年
|
|
ni - 1230(听)
|
|
|
|
1300 W，65 V，420 - 450兆赫的GaN RF输入 - 匹配的晶体管
|
420
|
450
|
输入匹配
|
25.9
|
|
1318年
|
|
80.8
|
|
65
|
1500年
|
|
ni - 1230(听)
|
|
|
|
1500瓦特，65伏，1.2 - 1.4 GHz的，氮化镓RF输入 - 匹配的晶体管
|
1200
|
1400
|
|
|
|
61.8
|
|
75
|
|
65
|
1500年
|
|
ni - 1230(听)
|
|
|
|
1.8 - 2.4 GHz, 220瓦，48 V GaN射频功率晶体管
|
1800
|
2400年
|
|
24
|
|
53.6
|
|
80
|
|
48
|
360
|
|
|
|
|
|
400瓦，50伏，2.7 - 2.9 GHz, GaN射频功率晶体管
|
2700年
|
2900年
|
|
21.2
|
|
56.3
|
|
75.1
|
|
50
|
700
|
|
ni - 780(听)
|
|
|
|
300瓦，48伏，1.8-2.2 GHz GaN射频功率晶体管
|
1800
|
2200
|
|
21
|
|
55.7
|
|
|
78.8
|
48
|
600
|
|
NI400
|
|
|
|
400瓦，48伏，1.8 - 2.2 GHz GaN射频功率晶体管
|
1800
|
2200
|
|
19.1
|
|
56
|
|
|
75.4
|
48
|
720
|
|
ni - 780
|
|
|
|
2.5 - 2.7 GHz, 110瓦/ 220瓦，48伏，GaN不对称Doherty
|
2500年
|
2700年
|
|
16
|
|
|
|
|
60
|
48
|
220
|
|
ni - 780
|
|
|
|
2.62 - 2.69 GHz, 200瓦，48 V GaN射频功率晶体管
|
2620
|
2,690
|
|
23
|
|
53
|
|
75
|
|
48
|
360
|
|
NI-400
|
|
|
|
2.5 - 2.7 GHz, 360瓦，48 V GaN射频功率晶体管
|
2500年
|
2700年
|
|
22
|
|
55.6
|
|
|
72
|
48
|
700
|
|
ni - 780
|
|
|
|
2.5 - 2.7千兆赫，200瓦，48伏的GaN RF功率晶体管
|
2500年
|
2700年
|
|
23
|
|
53
|
|
72
|
|
48
|
360
|
|
|
|
|
|
3.4 - 3.6千兆赫，180瓦，50伏的GaN RF功率晶体管
|
3400
|
3600年
|
|
22
|
|
52.6
|
|
66
|
|
50
|
420
|
|
NI-400
|
|
|
|
3.4 - 3.8 GHz 48伏150 / 300瓦GaN射频晶体管
|
3400
|
3800年
|
|
15.6
|
|
55.9
|
|
|
57.4
|
48
|
342
|
|
ni - 780 - 4 - l
|
|
|
|
3.4 - 3.8 GHz, 85瓦，48 V GaN射频功率晶体管
|
3400
|
3800年
|
|
21
|
|
49.3
|
|
70
|
|
50
|
180
|
|
NI-400
|
|
|
|
30瓦，28伏，9.2 - 9.7 GHz, GaN RF IMFET
|
9.2
|
9.7
|
|
9.1
|
|
34.3
|
|
|
48.6
|
25
|
240
|
|
EHS层压板
|
4 * 4
|
|
|
DC - 2千兆赫，285瓦，36 V的GaN RF功率晶体管
|
直流
|
2000
|
|
19
|
|
54.2
|
|
|
54
|
36 - 50
|
576
|
|
ni - 780
|
|
|
|
DC - 2千兆赫，285瓦，36 V的GaN RF功率晶体管
|
直流
|
2000
|
|
19
|
|
54.2
|
|
|
54
|
36 - 50
|
576
|
|
ni - 780
|
|
|
|
DC - 3.5千兆赫，2×200瓦，50伏的GaN RF功率晶体管
|
直流
|
3500年
|
|
18.1
|
|
2 x 53.0
|
|
|
67.6
|
50
|
520
|
|
NI-650
|
|
|
|
DC - 3.5千兆赫，2×200瓦，50伏的GaN RF功率晶体管
|
直流
|
3500年
|
|
18.1
|
|
2 x 53.0
|
|
|
67.6
|
50
|
520
|
|
NI-650
|
|
|
|
DC - 3.5千兆赫，55瓦，28 V的GaN RF功率晶体管
|
直流
|
3500年
|
|
16
|
|
47.2
|
|
|
52
|
28
|
200
|
|
ni - 360
|
|
|
|
直流- 6ghz, 7瓦，28v GaN射频功率晶体管
|
直流
|
6000
|
|
17
|
|
40
|
|
|
53
|
28
|
50
|
|
NI-200
|
|
|
|
DC - 6千兆赫，15瓦，28 V的GaN RF功率晶体管
|
直流
|
6000
|
|
15.5
|
|
42
|
|
|
72
|
28
|
One hundred.
|
|
NI-200
|
|
|
|
DC - 6千兆赫，15瓦，28 V的GaN RF功率晶体管
|
直流
|
6000
|
|
15.5
|
|
42
|
|
|
72
|
28
|
One hundred.
|
|
NI-200
|
|
|
|
DC - 6千兆赫，30瓦，28 V的GaN RF功率晶体管
|
直流
|
6000
|
|
14
|
|
45
|
|
50
|
|
28
|
200
|
|
NI-200
|
|
|
|
DC - 6千兆赫，30瓦，28 V的GaN RF功率晶体管
|
直流
|
6000
|
|
14
|
|
45
|
|
50
|
|
28
|
200
|
|
NI-200
|
|
|
|
DC - 18ghz, 6瓦离散功率GaN上的SiC HEMT
|
直流
|
18000
|
|
18
|
|
38
|
|
71.6
|
|
12至32
|
25至125
|
|
死
|
|
|
|
DC - 18ghz, 12瓦离散功率GaN上的SiC HEMT
|
直流
|
18000
|
|
21
|
|
40.1
|
|
73.3
|
|
12至32
|
50到250
|
|
死
|
|
|
|
DC - 18ghz, 25瓦离散功率GaN上的SiC HEMT
|
直流
|
18000
|
|
18
|
|
43
|
|
78.3
|
|
12至32
|
100年到500年
|
|
死
|
|
|
|
DC - 14千兆赫，50瓦特分立功率的GaN上的SiC HEMT
|
直流
|
14000年
|
|
19.8
|
|
47.3
|
|
69.5
|
|
12至32
|
200年到1000年
|
|
死
|
|
|
|
DC - 14ghz, 100瓦离散功率GaN上的SiC HEMT
|
直流
|
14000年
|
|
19.2
|
|
50.5
|
|
70.5
|
|
12至32
|
400年到2000年
|
|
死
|
|
|
|
DC - 4.0千兆赫，100瓦峰值，20瓦特Avg.Power，50伏，氮化镓RF功率晶体管
|
直流
|
4000年
|
|
> 14
|
|
51
|
|
|
|
50
|
250
|
|
ni - 360
|
|
|
|
直流- 4.0 GHz，峰值100瓦，平均功率20瓦，50伏特，GaN射频功率晶体管
|
直流
|
4000年
|
|
> 14
|
|
51
|
|
|
|
50
|
250
|
|
ni - 360
|
|
|
|
DC - 3.5 GHz, 100瓦，28v GaN射频功率晶体管
|
直流
|
3500年
|
|
> 14
|
|
50.3
|
|
> 50
|
|
28
|
260
|
|
ni - 360
|
|
|
|
DC - 3.5 GHz, 100瓦，28v GaN射频功率晶体管
|
直流
|
3500年
|
|
> 14
|
|
50.3
|
|
> 50
|
|
28
|
260
|
|
ni - 360
|
|
|
|
DC - 3.5千兆赫，100瓦，28伏的GaN RF功率晶体管
|
直流
|
3500年
|
|
17.4
|
|
51.2
|
|
72
|
|
28
|
260
|
|
ni - 360
|
|
|
|
DC - 25ghz, 7瓦，28v GaN射频晶体管
|
直流
|
25000年
|
|
15
|
|
38.6
|
|
57
|
|
28
|
80
|
|
死
|
0.83 x 0.55 x 0.10
|
|
|
DC - 25ghz, 14瓦，28v GaN射频晶体管
|
直流
|
25000年
|
|
14
|
|
41.5
|
|
49
|
|
28
|
160
|
|
死
|
1.46 X 0.55 X 0.10
|
|
|
DC - 25ghz, 5瓦，28v GaN射频晶体管
|
直流
|
25000年
|
|
16
|
|
36.8
|
|
60
|
|
28
|
40
|
|
死
|
0.60 x 0.55 x 0.10
|
|
|
DC - 25千兆赫，10瓦，28 V的GaN射频晶体管
|
直流
|
25000年
|
|
16
|
|
40
|
|
58
|
|
28
|
80
|
|
死
|
0.98 x 0.55 x 0.10
|
|
|
DC - 25千兆赫，4瓦特，28 V的GaN射频晶体管
|
直流
|
25000年
|
|
16
|
|
36
|
|
60
|
|
28
|
40
|
|
死
|
0.52 x 0.55 x 0.10
|
|
|
DC - 25ghz, 2瓦，28v GaN射频晶体管
|
直流
|
25000年
|
|
18
|
|
33.8
|
|
59
|
|
28
|
20.
|
|
死
|
0.41 x 0.55 x 0.10
|
|
|
DC - 14ghz, 7瓦离散功率GaN上的SiC HEMT
|
直流
|
14000年
|
|
20.4
|
|
38.4
|
|
75.7
|
|
32
|
25
|
|
死
|
|
|
|
DC - 12 GHz时，12瓦分立功率氮化镓上的SiC HEMT
|
直流
|
12000年
|
|
18.2
|
|
41.2
|
|
73.7
|
|
32
|
50
|
|
死
|
|
|
|
DC - 12 GHz, 27瓦离散功率GaN上的SiC HEMT
|
直流
|
12000年
|
|
19.6
|
|
44.5
|
|
71.6
|
|
32
|
One hundred.
|
|
死
|
|
|
|
DC - 12 GHz, 40瓦离散功率GaN上的SiC HEMT
|
直流
|
12000年
|
|
19.2
|
|
46.4
|
|
69
|
|
32
|
150
|
|
死
|
|
|
|
DC - 12 GHz, 55瓦离散功率GaN上的SiC HEMT
|
直流
|
12000年
|
|
19.3
|
|
47.6
|
|
69.7
|
|
32
|
200
|
|
死
|
|
|
|
DC - 12ghz, 70瓦离散功率GaN上的SiC HEMT
|
直流
|
12000年
|
|
19.2
|
|
48.6
|
|
69.6
|
|
32
|
250
|
|
死
|
|
|
|
0.03 - 3千兆赫，5瓦特，32 V，50欧姆的GaN RF输入 - 匹配的晶体管
|
30.
|
3000
|
|
18
|
|
37.8
|
|
63
|
|
32
|
25
|
|
QFN
|
3×3的
|
|
|
DC - 12千兆赫，5瓦特，32 V的GaN射频晶体管
|
直流
|
12000年
|
|
13
|
|
37.8
|
|
50
|
|
32
|
25
|
|
QFN
|
3×3的
|
|
|
直流- 12ghz, 20瓦，32v GaN射频晶体管
|
直流
|
12000年
|
|
11
|
|
42.8
|
|
46
|
|
32
|
One hundred.
|
|
QFN
|
4 x 3
|
|
|
DC - 12千兆赫，25瓦，32伏的GaN射频晶体管
|
直流
|
12000年
|
|
11
|
|
43.4
|
|
45
|
|
32
|
150
|
|
QFN
|
4 x 3
|
|
|
0.03 - 3.0千兆赫，10瓦，32伏的GaN RF输入 - 匹配的晶体管
|
30.
|
3000
|
|
17
|
|
40.4
|
|
63
|
|
32
|
50
|
|
QFN
|
3×3的
|
|
|
4 - 6千兆赫，5瓦特，32 V，50欧姆的GaN RF输入 - 匹配的晶体管
|
4000年
|
6000
|
|
12.7
|
|
38.3
|
|
@ 5 ghz 59.6
|
|
32
|
25
|
|
QFN
|
3×3的
|
|
|
0.03 - 4.0 GHz, 30瓦，32 V GaN射频晶体管
|
30.
|
4000年
|
|
19
|
|
45
|
|
73
|
|
32
|
65
|
|
QFN
|
4 x 3
|
|
|
DC - 4ghz, 5瓦GaN功率晶体管
|
直流
|
4000年
|
|
> 19
|
|
37
|
|
64
|
|
32
|
25
|
|
|
|
|
|
DC - 4ghz, 15瓦GaN功率晶体管
|
直流
|
4000年
|
|
> 19
|
|
43.5
|
|
63
|
|
32
|
70
|
|
|
|
|
|
DC - 4ghz, 30瓦GaN功率晶体管
|
直流
|
4000年
|
|
17
|
|
44.6
|
|
60
|
|
32
|
70
|
|
|
|
|
50 - 1500mhz高IP3双低噪声放大器
|
0.05
|
1.5
|
18.4
|
0.62
|
21.4
|
40
|
5
|
55
|
QFN
|
4×4×0。85
|
|
|
50 - 1500mhz高IP3双低噪声放大器
|
0.05
|
1.5
|
18
|
0.6
|
21.5
|
38.8
|
5
|
57
|
QFN
|
4×4×0。85
|
|
|
1500 - 2300mhz高IP3双低噪声放大器
|
1.5
|
2.3
|
18
|
0.62
|
20.8
|
39.8
|
5
|
57
|
QFN
|
4×4×0。85
|
|
|
2300 - 6000 MHz的高IP3双通道低噪声放大器
|
2.3
|
6
|
18.4
|
0.8
|
22.5
|
38.2
|
5
|
57
|
QFN
|
4×4×0。85
|